[发明专利]显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910126111.6 申请日: 2009-02-27
公开(公告)号: CN101521212A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 大植荣司;宫泽敏夫 申请(专利权)人: 株式会社日立显示器
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/283;H01L21/321;H01L21/265
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种显示装置及其制造方法,该显示装置形成有薄膜晶体管,上述薄膜晶体管由n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管构成,在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的栅电极的上述栅极绝缘膜侧上形成由与该栅电极的材料不同的材料构成的金属层,在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中至少一个半导体层上形成有LDD层。
搜索关键词: 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种显示装置,具有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管,其特征在于:上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘膜以及栅电极,上述半导体层具有沟道区域、源极区域以及漏极区域,上述栅极绝缘膜形成在上述半导体层的上层,上述栅电极跨上述半导体层而形成在上述栅极绝缘膜的上层,在上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的上述栅电极的上述栅极绝缘膜一侧形成有由与上述栅电极的材料不同的材料构成的金属层,在上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管中的至少一方薄膜晶体管的上述沟道区域与上述源极区域之间、以及上述沟道区域与上述漏极区域之间形成有杂质浓度比上述源极区域和上述漏极区域低的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器,未经株式会社日立显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910126111.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top