[发明专利]薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 200910126408.2 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101521233A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 大力浩二;池田隆之;宫入秀和;黑川义元;乡户宏充;河江大辅;井上卓之;小林聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L29/36;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及显示装置。改善涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅电极上且隔着所述栅极绝缘层的导电层；所述导电层上的非晶半导体层，该非晶半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分重叠于所述栅电极和所述导电层，并且所述第二部分重叠于所述栅电极并且与所述栅极绝缘层接触；所述非晶半导体层上的第一杂质半导体层，该第一杂质半导体层重叠于所述非晶半导体层的第一部分；以及所述非晶半导体层上的第二杂质半导体层，该第二杂质半导体层重叠于所述非晶半导体层的第二部分。
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