[发明专利]薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置无效

专利信息
申请号: 200910126739.6 申请日: 2009-02-03
公开(公告)号: CN101504952A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 朴基凡;金东奎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/788;G02F1/1362
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 戎志敏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)。该TFT包括:栅电极;在栅电极上形成的介电层和有源层;和在有源层上形成的源电极和漏电极,源电极和漏电极中每一个包括多个突出部分以及每个突出部分之间的空间;其中,源电极和漏电极彼此隔开且彼此啮合,以及其中,栅电极和源电极彼此重叠,且栅电极和漏电极彼此重叠。
搜索关键词: 薄膜晶体管 使用 显示装置
【主权项】:
1. 一种薄膜晶体管,包括:栅电极;在栅电极上形成的介电层和有源层;和在有源层上形成的源电极和漏电极,源电极和漏电极中每一个包括多个突出部分;其中,源电极和漏电极彼此隔开,源电极和漏电极的突出部分彼此啮合且同时通过间隙而分离,以及其中,栅电极和源电极彼此重叠,且栅电极和漏电极彼此重叠。
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