[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910126885.9 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101552288A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 丸井俊治;户田典彦;星真一 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。为了抑制电流崩塌，在MIS结构的HEMT中设置场板。半导体装置具有相互分离且对置地形成在基底11上侧的第1和第2主电极。在从第1和第2主电极露出的基底的上侧表面上形成有栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜的上侧设有栅电极。以一体地覆盖包含栅电极和栅极绝缘膜在内的基底的整个表面的方式、以小于栅电极厚度的膜厚形成副绝缘膜，副绝缘膜包含：覆盖栅电极的上侧表面的第1副绝缘膜、覆盖栅电极的分别与第1和第2主电极对置的两侧侧面的第2副绝缘膜、和覆盖从栅电极露出的栅极绝缘膜的第3副绝缘膜。在从第1副绝缘膜到一侧的第2副绝缘膜和该一侧的第3副绝缘膜的范围内，以一体覆盖的方式形成场板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：基底；第1和第2主电极，其相互分离且对置地形成在该基底的上侧；栅极绝缘膜，其形成在从该第1和第2主电极露出的所述基底的上侧表面上；栅电极，其形成在该栅极绝缘膜的上侧，夹在所述第1和第2主电极之间；副绝缘膜，其以一体地覆盖包含该栅电极和所述栅极绝缘膜在内的所述基底的整个表面的方式、以小于所述栅电极厚度的膜厚形成，该副绝缘膜包含：覆盖所述栅电极的上侧表面的第1副绝缘膜、覆盖所述栅电极的分别与所述第1和第2主电极对置的两侧侧面的第2副绝缘膜、和覆盖从所述栅电极露出的所述栅极绝缘膜的第3副绝缘膜；开口部，其穿通于该副绝缘膜，并使所述栅电极局部露出；以及场板，其在从所述第1副绝缘膜到一侧的所述第2副绝缘膜和该一侧的所述第3副绝缘膜的范围内以一体覆盖的方式形成，并以嵌入所述开口部的方式形成。
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