[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910127202.1 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527312A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 荒川伸一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/265;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种固体摄像装置及其制造方法，该固体摄像装置包括：光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；传输晶体管，其用于从光电转换部读取信号电荷并传输信号电荷；以及放大晶体管，其用于放大由传输晶体管读取的信号电荷，其中，在放大晶体管上形成具有压缩应力的压缩应力膜。所述固体摄像装置可抑制放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加。于是，由于可以抑制信噪比的降低，因此可通过实现高信噪比而获得很好的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像装置，其包括：光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；传输晶体管，其用于从所述光电转换部读取所述信号电荷并传输该信号电荷；以及放大晶体管，其用于放大由所述传输晶体管读取的所述信号电荷，其中，在所述放大晶体管上形成有具有压缩应力的压缩应力膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910127202.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：图像感测装置和成像系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
