[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 200910127494.9 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101521207A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;连浩明 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/78;G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种带隙设计的SONOS元件结构，其用于具有各种AND架构的设计来执行源极侧注入编程方法。BE-SONOS元件结构包含分隔氧化物，其安置在覆盖氧化物-氮化物-氧化物-氮化物-氧化物堆栈的控制栅极与覆盖栅极氧化物的次栅之间。在第一实施例中，BE-SONOS次栅AND阵列架构被构造成具有次栅线和扩散位线的多列SONONOS元件。在第二实施例中，BE-SONOS次栅反转位线AND架构被构造成具有次栅反转位线但不具有扩散位线的多列SONONOS元件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
1. 一种集成电路，其特征是：半导体基底；多个‘及’组件结构，包括：多个第一平行结构，位于所述半导体基底之上，所述多个第一平行结构中的各平行结构包括次栅，所述次栅经设置以在位于所述多个第一平行结构中的各平行结构下的所述半导体基底中产生反转层；以及多个第二平行结构，位于所述半导体基底之上，所述多个第二平行结构与所述多个第一平行结构实质上垂直，所述多个第二平行结构中的各平行结构包括：穿隧电介质，位于所述半导体基底上；电荷存储层，位于所述穿隧电介质上；障碍氧化物，位于所述电荷存储层上；以及控制栅极，位于所述障碍氧化物上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
