[发明专利]半导体装置、电光装置及电子设备有效
申请号: | 200910127587.1 | 申请日: | 2009-03-23 |
公开(公告)号: | CN101546775A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 宫坂光敏;宫崎淳志 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;刘瑞东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了半导体装置、电光装置及电子设备,即使在树脂层等的柔性层上形成时可靠性也优异。本发明的在树脂层(S)上形成的半导体装置,包含多个底栅型薄膜晶体管,该半导体装置至少具有构成该底栅型薄膜晶体管的半导体层(17)、第一布线(GL1,GL2)、第二布线(SL)、第一绝缘层(15)以及栅极绝缘膜(19),在该半导体层和该第一布线和第二布线的下部,存在该第一绝缘层和该栅极绝缘膜,在未形成该半导体层和该第一布线和第二布线的处所,该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除。由于该第一绝缘层和该栅极绝缘膜的一部分被去除,因此,即使在半导体装置施加了机械或热应力的情况下,也使该应力缓和,可以降低第一绝缘层等中裂纹的发生。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电光 电子设备 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体装置,其在树脂层上形成,其特征在于,上述半导体装置包含多个底栅型薄膜晶体管,上述半导体装置至少具有构成上述底栅型薄膜晶体管的半导体层、第一布线、第二布线、第一绝缘层以及栅极绝缘膜,在上述半导体层、上述第一布线以及第二布线的下部,存在上述第一绝缘层和上述栅极绝缘膜,在未形成上述半导体层、上述第一布线以及第二布线的处所,上述第一绝缘层和上述栅极绝缘膜的一部分被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的