[发明专利]多结晶硅反应炉有效
申请号: | 200910127656.9 | 申请日: | 2009-03-19 |
公开(公告)号: | CN101538042A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 远藤俊秀;手计昌之;石井敏由记;坂口昌晃 | 申请(专利权)人: | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;C30B29/06;C30B28/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨 楷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够防止在保持硅芯棒的电极表面析出的多结晶硅剥落的多结晶硅反应炉。本发明的多结晶硅反应炉对设置在炉内的硅芯棒(4)进行通电加热,使供给到炉内的原料气体反应,从而在上述硅芯棒(4)表面上析出多结晶硅,其中,该多结晶硅反应炉具备:在炉的底板部(炉底)(2)上相对于该底板部(2)设置为电绝缘状态的电极夹(10);和与该电极夹(10)连结并朝上方保持硅芯棒(4)的芯棒保持电极(15),在芯棒保持电极(15)的外周面上设置有暴露在炉内环境中的凹凸部(外螺纹部)(15B)。 | ||
搜索关键词: | 结晶 反应炉 | ||
【主权项】:
1.一种多结晶硅反应炉,对设置在炉内的硅芯棒进行通电加热,使供给到炉内的原料气体反应,从而在上述硅芯棒表面上析出多结晶硅,其特征在于,包括:在炉的底板部相对于该底板部设置为电绝缘状态的电极夹;和与该电极夹连结并朝上方保持上述硅芯棒的芯棒保持电极,在上述芯棒保持电极的外周面上设置有暴露在炉内环境中的凹凸部。
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