[发明专利]磁阻元件和磁存储器有效
| 申请号： | 200910127673.2 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101546807A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 北川英二;吉川将寿;永瀬俊彦;大坊忠臣;长岭真;西山胜哉;岸达也;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|2×a1/2-a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种磁阻元件，其特征在于，包括：第一底层，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层，设于所述第一底层上，具有垂直于膜表面的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的面心四方(fct)结构；第一非磁性层，设于所述第一磁性层上；以及第二磁性层，设于所述第一非磁性层上，并且具有垂直于膜表面的磁各向异性，所述第一底层的面内晶格常数a1和所述第一磁性层的面内晶格常数a2满足下式，其中b是所述第一磁性层的Burgers矢量的幅度，v是所述第一磁性层的弹性模量，hc是所述第一磁性层的厚度，
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