[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200910127940.6 | 申请日: | 2009-03-27 |
公开(公告)号: | CN101546752A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 永井隆行 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/64;H01L23/52 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件。本发明旨在减少其中提供有半导体器件的保护电路的面积,本发明的半导体器件具有第一导电型阱、在阱中形成的多个第一扩散层、在阱中形成中的多个第二扩散层以及在阱中形成的扩散电阻层,其中,第一扩散层具有第二导电型,并且被彼此并行地连接至半导体器件的输入/输出端;第二扩散层与多个第一扩散层交替地设置,并且被连接至电源或地;扩散电阻层具有第二导电型,并且位于与多个第二扩散层中的任何一个邻近;该扩散电阻层被连接至半导体器件的输入/输出端,同时与第一扩散层并行地设置,并且连接内部电路和半导体器件的输入/输出端。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体器件,包括:第一导电型阱;在所述阱中形成的多个第一扩散层,具有第二导电型,并且连接至信号输入/输出端;在所述阱中形成的多个第二扩散层,与所述多个第一扩散层交替地设置,并且连接至电源或地;以及在所述阱中形成的扩散电阻层,具有第二导电型,位于与所述多个第二扩散层中的任何一个邻近,连接至所述输入/输出端,并且连接内部电路和所述输入/输出端。
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