[发明专利]利用浅沟槽绝缘方法绝缘半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910128463.5 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101546726A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 安尚太;辛东善;宋锡杓 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造绝缘半导体器件的方法。该方法包括下列步骤：形成一图案化的垫氮化层，以在衬底上打开至少一个绝缘区域；通过刻蚀裸露的衬底形成第一和第二沟槽；通过执行原子层沉积(ALD)方法沉积第一氧化层来填充第一沟槽；刻蚀第一氧化层填充到宽沟槽的部分；通过执行沉积方法沉积第二氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 沟槽 绝缘 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、通过形成沟槽来绝缘衬底上器件的方法，包括下列步骤：形成一图案化的垫氮化层，以在衬底上打开至少一个绝缘区域；通过刻蚀裸露的衬底形成第一和第二沟槽；通过执行原子层沉积(ALD)方法沉积第一氧化层，以填充第一沟槽和第二沟槽，其中使用吡啶催化剂来降低反应激活能级；刻蚀第一氧化层填充到第二沟槽的部分；通过执行具有高于ALD方法的沉积速率的沉积方法沉积第二氧化层，由此用第二氧化层完全填充第二沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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