[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910128521.4 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101504932A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 小浦由美子;北田秀树;小泽清 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/316;H01L23/522;H01L23/485 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有铜或铜合金制成的插塞与布线的改进的防铜扩散功能的半导体器件及其制造方法，其中该方法包括下述步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成阻挡金属层，该阻挡金属层由难熔金属、含难熔金属元素的合金或难熔金属元素的氮化物制成；(b)在该阻挡金属层上形成铜合金膜；以及(c)于在该阻挡金属层的部分表面区域上，该铜合金膜中的铜以及合金元素与该绝缘体中的氧相互扩散的条件下，执行热处理，以形成金属氧化膜。利用本发明，可以改进半导体器件的防扩散功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成阻挡金属层，该阻挡金属层由难熔金属、含难熔金属元素的合金或难熔金属元素的氮化物制成；(b)在该阻挡金属层上形成铜合金膜；以及(c)于在该阻挡金属层的部分表面区域上，该铜合金膜中的铜以及合金元素与该绝缘体中的氧相互扩散的条件下，执行热处理，以形成金属氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
