[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200910128887.1 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101546785A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋柏煜;蔡俊琳;姚智文;何大椿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种集成电路结构，该结构包括：一半导体基底；一阱区，位于半导体基底上方，具有一第一导电型；一含金属层，位于阱区上方，其中含金属层与阱区构成一肖特基势垒(Schottky barrier)；一隔离区，围绕含金属层；以及一深阱区，位于含金属层下方，具有相反于第一导电型的一第二导电型。深阱区至少有一部分与一部分的含金属层呈垂直重叠。深阱区经由阱区而与隔离区及含金属层呈垂直隔开。本发明可以改进击穿电压、降低漏电流，以及可调整击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种集成电路结构，包括：一半导体基底；一阱区，位于该半导体基底上方，具有一第一导电型；一含金属层，位于该阱区上方，其中该含金属层与该阱区构成一肖特基势垒；一隔离区，围绕该含金属层；以及一深阱区，位于该含金属层下方，具有相反于该第一导电型的一第二导电型，其中该深阱区至少有一部分与一部分的该含金属层呈垂直重叠，且其中该深阱区经由该阱区而与该隔离区及该含金属层呈垂直隔开。
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