[发明专利]具有单端读出放大器的半导体器件无效
| 申请号： | 200910128946.5 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101540189A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 梶谷一彦 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有单端读出放大器的半导体器件。通过单个MOS晶体管放大信号电压，由此防止了芯片面积的增大。半导体存储器件中的读出放大器具有存储单元，存储单元用于基于信号输入/输出端和电源端之间的电阻值的大小来存储信息，半导体存储器件具有以下结构，在该结构中，在从存储单元读取信号的过程中位线电容减小，其中，放大器通过利用具有单端结构的单个MOS晶体管将从输入/输出端输出的信号放大。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 读出 放大器 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：存储单元，其用于基于输入/输出端和电源端之间的电阻值，或者与输入/输出端连接的单元晶体管的导通电流值来存储信息；位线，其连接到所述输入/输出端，用于将所述信息输入到所述存储单元或者从所述存储单元输出所述信息；第一场效应晶体管，其用作单端读出放大器，该第一场效应晶体管具有与所述位线连接的栅极，用于放大所述位线上的数据信号；第二场效应晶体管，其连接到所述位线，用于将所述位线的电势控制成第一预定电势；第三场效应晶体管，其用于向全局位线提供所述第一场效应晶体管的输出信号；以及全局位线读出放大器，其连接到所述全局位线，用于检测所述全局位线上的信号，其中，所述位线的所述第一预定电势根据流经所述存储单元的电流而变化，并且所述第一场效应晶体管根据所述位线的变化电势来使电流流动。
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