[发明专利]光电元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200910128949.9 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101840975A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;高琳洁;杨淑莹 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电元件，包含：第一电极；基板形成在第一电极上；多个多层膜结构形成在基板上，且多个多层膜结构是以具有不同折射率的至少两层绝缘材料层交错堆叠而成；第一半导体导电层形成在基板上且包覆多个多层膜结构；发光层形成在第一半导体导电层上；第二半导体导电层形成在发光层上；透明导电层形成在第二半导体导电层上；以及第二电极形成在透明导电层上，通过基板上的多层膜结构可以增加光线在光电元件内的反射或抗反射效率，以提升光电元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光电元件，其特征在于，包含：一基板；多个多层膜结构，该多层膜结构形成在该基板上，且该多层膜结构是以具有不同折射率的至少两层绝缘材料层交错堆叠而成；一第一半导体导电层，该第一半导体导电层形成在该基板上且包覆该多层膜结构；一发光层，该发光层形成在该第一半导体导电层上；一第二半导体导电层，该第二半导体导电层形成在该发光层上；及一透明导电层，该透明导电层形成在该第二半导体导电层上。
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