[发明专利]成像探测器

摘要

本发明公开了一种成像探测器。其中，混合型成像探测器用于探测电离辐射，诸如X射线或电子辐射或其它电离辐射。所述探测器具有在读出芯片(20)上的传感器(10)。所述传感器(10)包括由具有不同辐射吸收特性的相互堆叠于其上的不同材料的多个传感器材料层(12，14)。所述材料可以例如是Si和SiGe、Si和Ge、或者Si和非晶Se。该读出芯片为光子计数型读出芯片，当探测到高于阈值的脉冲时，所述读出芯片记录一个单次计数。

主权项

1、一种用于探测预定能量范围内的诸如X射线或电子的电离辐射成像探测器，所述成像探测器包括：含有读出电路的读出芯片(20)；以及用于在多个像素上吸收电离辐射的传感器(10)，所述传感器电连接到所述读出芯片上；其中，所述读出芯片(20)具有电路，当探测到由光子或电子激发出的电荷大于阈值电荷时，所述电路在像素内记录一个脉冲；并且所述传感器(10)包括由具有不同辐射吸收特性的相互堆叠于其上的不同材料的多个传感器材料层(12，14)，其中，所述多个传感器材料层(12，14)吸收至少70％的跨越预定能量范围的入射辐射；其中，所述传感器材料层包括第一半导体的第一传感器材料层(12)、第二半导体的第二传感器材料层(14)以及位于所述第一传感器材料层和第二传感器材料层之间的缓冲层(16)，其中，所述缓冲层具有从所述第一传感器材料层的材料改变到第二传感器材料层的材料的分级成分。