[发明专利]等离子体处理装置及其密封结构、密封方法无效

专利信息
申请号: 200910129409.2 申请日: 2009-03-18
公开(公告)号: CN101556909A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 石桥清隆;岸田好晴 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23C16/00;H05H1/24
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供等离子体处理装置及其密封结构、密封方法。该装置的密封结构能使等离子体稳定,防止密封构件老化。密封等离子体产生室(2)的开口部的闸阀包括阀体(16)、阀杆(17)和密封阀体与等离子体产生室的间隙的环状密封构件(11、12)。密封构件(11)位于等离子体产生室侧,直接接触等离子体气体介质。密封构件(11)与密封构件(12)不接触,存在间隙(S)。阀体沿密封构件(11)长度方向有多个气体槽(13)。气体槽位于与密封构件(11)的长度方向大致正交的方向上,连通间隙和等离子体产生室。在等离子体产生室的壁上设有向间隙注入气体的气体注入通路(14)。设有沿密封构件(11)长度方向连续的凹部(15),将气体注入通路的气体排出口和凹部连结。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 及其 密封 结构 方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置的密封结构,其用于密封进行等离子体处理的等离子体产生室的开口部,其特征在于,该等离子体处理装置的密封结构包括:第1密封构件,其为环状,与上述等离子体产生室的等离子体气体介质接触;第2密封构件,其为环状,不与上述等离子体产生室的等离子体气体介质接触;间隙,其位于上述第1密封构件与上述第2密封构件之间;气体注入口,其用于向上述间隙中注入惰性气体;槽,其沿着与上述第1密封构件的长度方向大致正交的方向形成在与上述第1密封构件相邻接的面上,用于连通上述等离子体产生室和上述间隙。
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