[发明专利]等离子体处理装置及其密封结构、密封方法无效
申请号: | 200910129409.2 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101556909A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 石桥清隆;岸田好晴 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23C16/00;H05H1/24 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置及其密封结构、密封方法。该装置的密封结构能使等离子体稳定,防止密封构件老化。密封等离子体产生室(2)的开口部的闸阀包括阀体(16)、阀杆(17)和密封阀体与等离子体产生室的间隙的环状密封构件(11、12)。密封构件(11)位于等离子体产生室侧,直接接触等离子体气体介质。密封构件(11)与密封构件(12)不接触,存在间隙(S)。阀体沿密封构件(11)长度方向有多个气体槽(13)。气体槽位于与密封构件(11)的长度方向大致正交的方向上,连通间隙和等离子体产生室。在等离子体产生室的壁上设有向间隙注入气体的气体注入通路(14)。设有沿密封构件(11)长度方向连续的凹部(15),将气体注入通路的气体排出口和凹部连结。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 及其 密封 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置的密封结构,其用于密封进行等离子体处理的等离子体产生室的开口部,其特征在于,该等离子体处理装置的密封结构包括:第1密封构件,其为环状,与上述等离子体产生室的等离子体气体介质接触;第2密封构件,其为环状,不与上述等离子体产生室的等离子体气体介质接触;间隙,其位于上述第1密封构件与上述第2密封构件之间;气体注入口,其用于向上述间隙中注入惰性气体;槽,其沿着与上述第1密封构件的长度方向大致正交的方向形成在与上述第1密封构件相邻接的面上,用于连通上述等离子体产生室和上述间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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