[发明专利]电极构造和基板处理装置有效
| 申请号： | 200910129460.3 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101546700A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 中山博之;本田昌伸;增泽健二;岩田学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 构造 处理 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种电极构造，该电极构造被配置在对基板实施等离子体处理的基板处理装置所具备的处理室内，在该处理室内与载置在载置台上的所述基板相对置，其特征在于：该电极构造包括与所述基板的中心部相对置的内侧电极和与所述基板的周缘部相对置的外侧电极，其中，所述内侧电极与第一直流电源连接，并且所述外侧电极与第二直流电源连接，所述外侧电极具有与所述基板平行的第一面和相对于该第一面倾斜的第二面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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