[发明专利]在双极晶体管中反掺杂集电区的方法

摘要

本发明提供了一种形成双极晶体管的方法，包括在双极晶体管中反掺杂集电区的方法。该方法包括用第一类型掺杂剂掺杂硅层并且执行第一注入工艺以便在硅层中注入与第一类型相反的第二类型的掺杂剂。所注入的掺杂剂在硅层中具有第一掺杂剂分布。该方法也包括执行第二注入工艺以便在硅层中注入附加的第二类型掺杂剂。附加的所注入的掺杂剂在硅层中具有与第一掺杂剂分布不同的第二掺杂剂分布。该方法还包括通过消耗硅层和第一类型掺杂剂的一部分来生长在硅层上方形成的绝缘层。

主权项

1.一种形成双极晶体管的p阱的方法，包含以下步骤：执行第一注入工艺以在硅层中注入第一类型的掺杂剂，所述硅层掺杂有与第一类型相反的第二类型的掺杂剂，所注入的掺杂剂在所述硅层中具有第一掺杂剂分布；执行第二注入工艺，以便在所述硅层中注入附加的第一类型的掺杂剂，附加的所注入的掺杂剂在所述硅层中具有第二掺杂剂分布，所述第二掺杂剂分布不同于所述第一掺杂剂分布；以及通过消耗所述硅层和第一类型掺杂剂的一部分来在所述硅层上方生长绝缘层。