[发明专利]具有穿导孔的硅晶片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有穿导孔的硅晶片及其制造方法。该硅晶片包括硅基材、绝缘层、至少一电性元件及至少一穿导孔。该绝缘层位于该硅基材的第一表面。该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面。该穿导孔包括阻绝层及导电体，且贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面，且其第二端连接该电性元件。由此，当形成重布层于该绝缘层的表面时，该重布层不会接触该硅基材，因而可以避免电性短路的问题，故可使用较低解析度的工艺，同时降低制造成本并简化工艺步骤。

主权项

一种具有穿导孔的硅晶片，包括：硅基材，具有第一表面及第二表面；绝缘层，位于该硅基材的第一表面，该绝缘层具有一表面；至少一电性元件，位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面；及至少一穿导孔，贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔包括阻绝层及导电体，且具有第一端及第二端，该第一端显露于该绝缘层的表面，且该第二端连接该电性元件。