[发明专利]制造半导体衬底叠层的系统、结构和方法有效
| 申请号： | 200910131495.0 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101582407A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张宏宾;吴文进;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种制造用于半导体衬底叠层系统的半导体衬底结构的方法。该方法包括半导体衬底，其包括前表面，背面，体层，包括多个夹在导电层之间的金属间电介质层的互连层，介于体层和互连层之间的接触层，以及起始于体层和接触层之间、终止于衬底背面的TSV结构。TSV结构电连接到互连层上并且TSV结构电连接到背面的焊垫上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 衬底 系统 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，包括：衬底，其具有形成在所述衬底中的有源区；延伸穿过所述衬底的通孔，其具有与所述衬底的底面基本对齐的第一终端和与所述衬底的顶面基本对齐的第二终端；电连接到所述通孔的第二终端并且电连接到导电互连层的第一导电接触孔；以及电连接到所述导电互连层和所述有源区的第二导电接触孔。
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