[发明专利]晶体单元无效
申请号: | 200910132352.1 | 申请日: | 2009-03-30 |
公开(公告)号: | CN101552243A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 原浩一;小原茂 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/15 | 分类号: | H01L23/15;H01L23/488;H01L23/02 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 文 琦;陈 波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种晶体单元,其包括:其中金属凸缘焊接于基板主体的外圆周的单元基板;由支架保持在单元基板上的晶体元件;以及连接于金属凸缘以覆盖并气密密封该晶体元件的金属盖。该基板主体由陶瓷材料形成。金属凸缘与其连接的第一金属薄膜形成在基板主体的外圆周的表面上。在基板主体的至少两个位置处,第二金属薄膜形成在主体的内底面上,并且第三金属薄膜形成在主体的外底面上。第二金属薄膜和第三金属薄膜通过通孔相互电连接。支架连接于第二金属薄膜。 | ||
搜索关键词: | 晶体 单元 | ||
【主权项】:
1.一种晶体单元,包括:单元基板,其中金属凸缘焊接于基板主体的外圆周;晶体元件,其由支架保持在所述单元基板上;以及金属盖,其连接于所述金属凸缘以覆盖并气密密封所述晶体元件,其中所述基板主体由陶瓷材料形成,其中所述金属凸缘与其连接的第一金属薄膜形成在所述基板主体的所述外圆周的表面上,其中,在所述基板主体的至少两个位置处,第二金属薄膜形成在所述主体的内底面上,并且第三金属薄膜形成在所述主体的外底面上,其中所述第二金属薄膜和第三金属薄膜通过通孔相互电连接,并且其中所述支架连接于所述第二金属薄膜。
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