[发明专利]用于沟道隔离的斜角注入无效
| 申请号： | 200910132434.6 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101521217A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | H·E·罗德斯;C·穆利 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/078;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蒋 骏 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于沟道隔离的斜角注入。一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟道 隔离 斜角 注入 | ||
【主权项】：
1. 一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
