[发明专利]具有改善结构稳定性的存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200910132568.8 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101783390A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 汤玛斯·D·汉普;陈逸舟;蹇·鲍里斯·菲利普;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有改善结构稳定性的存储单元及其制造方法。此处所描述的存储单元包含一底电极包含一衬底部分及一柱状部分于该衬底部分之上，该柱状部分及该衬底部分具有各自的外表面且该柱状部分具有一宽度小于该衬底部分的宽度。一存储元件于该底电极的该柱状部分的一上表面之上以及一顶电极于该存储元件之上。一介电间隔物与该柱状部分的该外表面连接，该底电极的该衬底部分的该外表面与该介电间隔物的一外表面自动对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 结构 稳定性 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元，其特征在于，包含：一底电极包含一衬底部份及一柱状部份于该衬底部份之上，该柱状部份及该衬底部分具有各自的外表面且该柱状部分具有一宽度小于该衬底部份的宽度；一存储元件于该底电极的该柱状部分的一上表面之上；一顶电极于该存储元件之上；以及一介电间隔物与该柱状部分的该外表面连接，该底电极的该衬底部分的该外表面与该介电间隔物的一外表面自动对准。
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