[发明专利]半导体装置及使用了该半导体装置的能量传递装置无效
| 申请号： | 200910132705.8 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101562177A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金子佐一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/52;H02M7/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种即使漏电极相对源电极成为负偏压，也能够防止在半导体集成电路中发生闭锁的能量传递装置，及能够实现该能量传递装置的半导体装置。该能量传递装置具备：形成在第一半导体基板的半导体装置(24)；具备逆电流防止二极管(41)的半导体集成电路(48)，该逆电流防止二极管含有形成在第二半导体基板的表面的第二导电型的逆电流防止层、及对形成在第二半导体基板中的逆电流防止层进行覆盖的第一导电型的阱层；直流电压源(52)；和变压器(60)；变压器(60)含有：与半导体装置(24)及直流电压源(52)串联连接的初级绕组(53)、和与负载连接的第一次级绕组(54)，构成为从变压器(60)的第一次级绕组(54)向负载供给电力。半导体装置(24)的第二漏电极(TAP电极)与半导体集成电路(48)的逆电流防止层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 使用 能量 传递 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具备含有开关元件和JFET元件的高耐压半导体元件，其中，所述高耐压半导体元件具备：形成在第一半导体基板的表面的第一导电型的漂移区域；在所述第一半导体基板的表面与所述漂移区域相邻形成的第二导电型的基极区域；在所述基极区域的表面与所述漂移区域分离形成的第一导电型的源极区域；形成在所述源极区域与所述漂移区域之间的所述基极区域上的栅极绝缘膜；在所述漂移区域的表面与所述基极区域分离形成的区域；在所述漂移区域的表面与所述区域分离形成的第一导电型的第二漏极区域；形成在所述第一半导体基板上，与所述基极区域及所述源极区域电连接的源电极；形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极；形成在所述第一半导体基板上，与所述区域电连接的电极；和形成在所述第一半导体基板上，与所述第二漏极区域电连接的第二漏电极；所述第二漏电极与在第二半导体基板的表面上形成的第二导电型的逆电流防止层电连接，所述逆电流防止层被形成在所述第二半导体基板中的第一导电型的阱层覆盖。
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