[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体存储器件具有不彼此面对的相邻位线的侧表面，以减小形成于相邻位线之间的寄生电容器的电容。所述半导体存储器件包括在半导体衬底上形成的接触塞。每个接触塞均布置于栅极图案之间。第一和第二导电垫在不同方向上延伸并且连接至接触塞。在第一和第二导电垫的延伸的外周上分别形成第一和第二垫接触塞。每一个第一垫接触塞的高度均与每一个第二垫接触塞的高度不同。第一位线连接至第一垫接触塞，第二位线连接至第二垫接触塞。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：在半导体衬底上形成的接触塞，每个接触塞均布置在栅极图案之间；在不同方向上延伸的第一和第二导电垫，每一个所述第一和第二导电垫连接至所述接触塞之一；分别在所述第一和第二导电垫的延伸的外周上形成的第一和第二垫接触塞，其中每一个所述第一垫接触塞的高度均不同于每一个所述第二垫接触塞的高度；分别连接至所述第一垫接触塞的第一位线；和分别连接至所述第二垫接触塞的第二位线。