[发明专利]半导体存储设备无效
| 申请号： | 200910133778.9 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101727968A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 金敬勋;尹相植;金洪培 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储设备，该半导体存储设备包括：第一数据选择部，其被输入第一数据及第二数据，并响应于地址信号而输出该第一数据及该第二数据中的一个作为第一选择数据；第二数据选择部，其被输入所述第二数据及所述第一选择数据，并取决于输入及输出模式而输出所述第二数据及所述第一选择数据中的一个作为第二选择数据；以及数据输出部，其被构造成被输入所述第一选择数据及所述第二选择数据并输出第一输出数据及第二输出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体存储设备，包括：第一数据选择部，其被构造成，接收第一数据及第二数据，并响应于地址信号而输出该第一数据及该第二数据中的一个作为第一选择数据；第二数据选择部，其被构造成，接收所述第二数据及所述第一选择数据，并取决于输入及输出模式而输出所述第二数据及所述第一选择数据中的一个作为第二选择数据；以及数据输出部，其被构造成，接收所述第一选择数据及所述第二选择数据，并输出第一输出数据及第二输出数据。
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