[发明专利]电致熔丝结构和方法有效
| 申请号： | 200910133930.3 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101567360A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 郑新立;李佳蓉;侯锦珊;陈伟铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 梁 永;马佑平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电致熔丝及其编程方法。一种电致熔丝，包括：在非掺杂和轻掺杂多晶硅层上的低层硅化物层，高层导电层，以及连接在低层硅化物层和高层导电层之间的钨接触孔。钨接触孔和硅化物层的颈部是电致熔丝的可编程部分。通过第一程序阶段消耗硅化物层内的硅化物，之后通过第二程序阶段消耗钨接触孔内的钨，得到高的编程后电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电致熔丝 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电致熔丝，包括：高层导电层，其包括具有第一熔点的第一导电材料；低层多晶硅层，其具有第一区域和第二区域；第一接触孔，其包括具有高于所述第一熔点的第二熔点的第二导电材料，所述第一接触孔连接到所述高层导电层以及所述低层多晶硅层的第一区域，其中所述第一接触孔的底部被消耗，以及所述第二导电材料和所述低层多晶硅层的第二区域上的硅化物的聚集物。
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