[发明专利]在鳍式场效应晶体管器件中提高迁移率的金属栅应力膜有效
| 申请号： | 200910133931.8 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101677085A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪;万幸仁;叶致锴;张智胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/321;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS FinFET半导体器件提供了在半导体鳍(fin)上包括压缩应力金属栅极层的NMOS FinFET(鳍式场效应晶体管)器件和在半导体鳍上包括拉伸应力金属栅极层的PMOS FinFET器件。形成该器件的工艺包括选择性地将形成在PMOS器件上的压缩金属栅极膜转化成拉伸应力金属栅极膜的选择性退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 提高 迁移率 金属 应力 | ||
【主权项】：
1.一种形成CMOS FinFET(鳍式场效应晶体管)器件的方法，包括：在衬底上形成多个NMOS和PMOS区；在所述NMOS和PMOS区上形成压缩PVD(物理气相沉积)金属层；将形成在所述PMOS区中的所述压缩PVD金属层选择性地转化为拉伸金属层；和形成覆盖在所述NMOS区的所述压缩PVD金属层上的和覆盖在所述PMOS区的所述拉伸金属层上的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910133931.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种六角螺母与螺栓连接的防松方法
- 下一篇：一种多功能复合型游牧帐篷
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
