[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910134029.8 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101853811A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 罗文勋;刘兴潮;林明正;张玉龙 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/316;H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一基板，其具有一第一组件区、一第二组件区和一电容区；于上述第二组件区中形成一图案化第一氧化层；全面性形成一第二氧化层；分别于上述第一组件区、上述第二组件区和上述电容区中的上述第二氧化层上形成多个图案化第一导电层和多个图案化介电层；于上述电容区中形成一图案化第二导电层和被上述图案化第二导电层覆盖的一图案化第三氧化层，其中位于上述电容区的上述图案化第一导电层和上述图案化第二导电层分别作为一电容器的一下电极和一上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供一基板，所述基板具有一第一组件区、一第二组件区和一电容区；于所述第二组件区中形成一图案化第一氧化层；全面性形成一第二氧化层；分别于所述第一组件区、所述第二组件区和所述电容区中的所述第二氧化层上形成多个图案化第一导电层和多个图案化介电层；以及于所述电容区中形成一图案化第二导电层和被所述图案化第二导电层覆盖的一图案化第三氧化层，其中位于所述电容区的所述图案化第一导电层和所述图案化第二导电层分别作为一电容器的一下电极和一上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910134029.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阵列基板及其制造方法
- 下一篇：挠式显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
