[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910134054.6 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101645432A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成凸块下金属化层的系统与方法与其所形成的半导体装置，其减少凸块下金属化层(under bump metallization，UBM)、直通硅晶穿孔(through silicon via，TSV)与引线的所有覆盖率(footprint)。一优选实施例包括于多个直通硅晶穿孔上形成一凸块下金属化层，而该凸块下金属化层只连接至全部直通硅晶穿孔的部分，且凸块下金属化层位于其上。该凸块下金属化层之下可额外形成连接至直通硅晶穿孔的引线于以于裸片的表面上保留更多空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基底，其具有一第一侧与一第二侧；多个直通硅晶穿孔自该第一侧延伸至该第二侧；以及一凸块下金属化接点位于该多个直通硅晶穿孔之上，其中该凸块下金属化接点电性连接至所述多个直通硅晶穿孔的至少之一，且与该所述多个直通硅晶穿孔的至少之一电性分离。
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