[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200910134147.9 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101752342A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;林生元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构，其包括：一半导体基底以及位于半导体基底上方的一内连线结构。一实心金属环，形成于内连线结构内，其中实心金属环内未形成有源电路。此集成电路结构还包括一硅通孔电极，其具有被实心金属环所围绕的一部分。硅通孔电极穿过内连线结构而延伸至半导体基底内。本发明通过在低介电常数介电层内形成围绕硅通孔电极的实心金属环，可排除在制造硅通孔电极期间可能发生低介电常数介电层劣化的问题，因而防止低介电常数介电层内金属线之间漏电流的增加。本发明不需要额外的光掩模及工艺步骤，因此不会额外增加制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一半导体基底；一内连线结构，位于该半导体基底上方；一实心金属环，位于该内连线结构内，其中该实心金属环内未形成有源电路；以及一硅通孔电极，包括被该实心金属环所围绕的一部分，其中该硅通孔电极穿过该内连线结构而延伸至该半导体基底内。
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