[发明专利]可测试静电放电保护电路有效
| 申请号： | 200910134231.0 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101582421A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 理查德·威廉;迈克尔·康奈尔;陈伟钿 | 申请（专利权）人： | 先进模拟科技公司;先进模拟科技(香港)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱 军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体管芯具有诸如功率MOSFET(308)的MOSFET的焊盘(301)和分开的用于ESD保护电路(306、307)的焊盘(302)。连接焊盘(301、302)到一起使得ESD保护电路(306、307)起到保护MOSFET(308)的作用。在连接焊盘到一起之前，ESD保护电路(306、307)和/或MOSFET(308)可以被分开地测试。当测试MOSFET(308)时可以使用高于运行的ESD保护电路允许的电压。诸如引线键合或在倒装片封装中将管芯连接至衬底的封装工艺可以在测试之后电连接焊盘(301、302)。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括管芯，所述管芯包括：晶体管，具有第一焊盘；和静电放电保护电路，具有第二焊盘，其中所述静电放电保护电路只在连接所述第一焊盘和所述第二焊盘之后起到保护所述器件免受静电放电破坏的作用；和绝缘层，所述绝缘层位于所述晶体管和静电放电保护电路之上，所述绝缘层包括连续的开口，所述开口暴露部分的所述第一焊盘和部分的所述第二焊盘；和引线键合，所述引线键合位于所述绝缘层中的所述开口中，其中所述引线键合横跨所述第一和第二焊盘之间的间隙延伸，且电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进模拟科技公司;先进模拟科技(香港)有限公司，未经先进模拟科技公司;先进模拟科技(香港)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910134231.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
