[发明专利]晶片处理装置及在单一装置中处理半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200910134317.3 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101667526A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;吴文进;杨固峰;胡荣治 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种从一半导体晶片表面上移除一金属或导电薄膜的方法和装置，其在一单一晶片装置内进行两步骤工艺。第一步骤为一湿式化学或机械移除工艺，以一高的移除速率来移除此薄膜的上层部分，接着第二步骤为较低的移除速率，其使用化学机械研磨。本发明提供一种装置与具有合理成本的工艺，以从半导体晶片表面上更快速地移除一基体金属或其他导电薄膜，且能得到如同化学机械研磨一般高品质的研磨表面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 装置 单一 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片处理装置，包含：一第一处理室，包含下列至少其一：(a)一湿式化学蚀刻装置；及(b)一机械研磨装置，借由一半导体晶片和一切割构件之间的相对运动来移除该半导体晶片上的材料；一第二处理室，包含一化学机械研磨装置；及一晶片输送装置，用来输送该半导体晶片，从该第一处理室到该第二处理室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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