[发明专利]含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈有效
| 申请号： | 200910134374.1 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101859702A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;弗雷德里克·詹纳;萨姆·吉哈 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/44;H01L21/283;H01L29/792;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷储存层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 氮化物 氧化物 堆栈 | ||
【主权项】：
一种半导体器件中电荷存储层的形成方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在衬底上沉积一个富硅氮化物；以及氧化富硅氮化物形成富硅少氧第一氧氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
