[发明专利]无铅二极管的台面制作工艺有效
| 申请号： | 200910134678.8 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101521161A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陆国华;陈炎;吴亚红;吴刚 | 申请（专利权）人： | 如皋市日鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 | 代理人： | 钟廷良;李沛昌 |
| 地址： | 226500*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无铅二极管的台面制作工艺，所述无铅二极管芯片的台面腐蚀用酸洗腐蚀；其特征在于：所述无铅二极管芯片的台面腐蚀在酸洗腐蚀之前，先用强碱、弱碱进行两次腐蚀。以上工艺制作的为无铅二极管，且由于产品台面采用碱腐蚀工艺，使得产品的高温焊接保证为265±5℃/10秒，适用于所有产品，有利于净化环境。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 台面 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种无铅二极管的台面制作工艺，所述无铅二极管芯片的台面腐蚀用酸洗腐蚀；其特征在于：所述无铅二极管芯片的台面腐蚀在酸洗腐蚀之前，先用强碱、弱碱进行两次腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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