[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。p型区域(2，4)设置在第一n型区域(1)上。第二n型区域(3)通过p型区域(2，4)与第一n型区域(1)隔开，设置在p型区域(2，4)上。栅极电极(8)用于在第一和第二n型区域(1，3)之间形成n沟道。第一电极(6)与p型区域(4)和第二n型区域(3)的每一个电连接。第二电极(11)以通过第一n型区域(1)与p型区域(2)隔开、并且至少一部分与第一n型区域(1)相接的方式设置在第一n型区域(1)上。第二电极(11)由金属和合金的任一种构成，用于向第一n型区域(1)注入空穴。由此，能够提供栅极电极型的、通过简洁的结构能够抑制导通电阻的半导体装置、以及其制造方法。

主权项

1.一种半导体装置，具备：第一n型区域；p型区域，设置在所述第一n型区域上；第二n型区域，通过所述p型区域与所述第一n型区域隔开，设置在所述p型区域上；栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在所述p型区域上，用于在所述第一和第二n型区域之间形成n沟道；第一电极，与所述p型区域和所述第二n型区域的每一个电连接；以及第二电极，以通过所述第一n型区域与所述p型区域隔开，并且至少一部分与所述第一n型区域相接的方式设置在所述第一n型区域上，由金属和合金的任何一种构成，用于对所述第一n型区域注入空穴。