[发明专利]电阻式存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910135932.6 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101677121A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李有真 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻式存储器件及其制造方法，所述电阻式存储器件包括：在衬底之上的绝缘层；穿过所述绝缘层的纳米线；电阻层，其形成在所述绝缘层之上并接触所述纳米线；以及形成在所述电阻层之上的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器件，包括：衬底；在所述衬底之上的绝缘层；纳米线，其限定下电极并穿过所述绝缘层；电阻层，其在所述绝缘层之上形成并接触所述纳米线；和在所述电阻层之上形成的上电极。
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