[发明专利]光电阴极以及具备该光电阴极的电子管无效
| 申请号： | 200910135940.0 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101572201A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 新垣实;广畑彻;吉田治正;菅博文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所涉及的光电阴极(1)具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板(11)、被设置于支撑基板(11)上并且具有比该支撑基板(11)的能带隙更小的能带隙、吸收透过支撑基板(11)的入射光而产生光电子的光吸收层(13)、被设置在光吸收层(13)上并且使光吸收层(13)的工作函数降低的表面层(15)；支撑基板(11)由Al(1-X)GaXN(0≤X＜1)形成，光吸收层(13)由选自Al、Ga以及In的至少一种成分与N构成的化合物半导体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 阴极 以及 具备 电子管 | ||
【主权项】：
1.一种光电阴极，其特征在于：具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板；光吸收层，所述光吸收层被设置于所述支撑基板上，具有比所述支撑基板的能带隙更小的能带隙，吸收透过所述支撑基板的入射光而产生光电子；以及被设置在所述光吸收层上并且使所述光吸收层的工作函数降低的表面层，所述支撑基板由Al(1-X)GaXN(0≤X＜1)形成，所述光吸收层由选自Al、Ga以及In的至少一种成分以及N构成的化合物半导体形成。
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