[发明专利]Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底及利用该衬底制造半导体装置的方法

摘要

本发明公开了一种其平均位错密度不超过5×10⁵cm^-2且抗断裂的III族氮化物单晶自立式衬底，以及一种利用这类III族氮化物单晶自立式衬底制造半导体装置的方法。所述III族氮化物单晶自立式衬底包括一个以上的高位错密度区域(20h)，以及多个低位错密度区域(20k)，所述低位错密度区域(20k)的位错密度低于所述高位错密度区域(20h)的位错密度，其中所述平均位错密度不超过5×10⁵cm^-2。此处，所述高位错密度区域(20h)的位错密度对所述平均位错密度的比值大得足以阻止裂纹在所述衬底中传播。并且所述半导体装置的制造方法利用了所述III族氮化物单晶自立式衬底(20p)。

主权项

1.一种平均位错密度不超过5×105cm-2的III族氮化物单晶自立式衬底，其包括：一个以上的高位错密度区域；以及多个低位错密度区域，其中所述低位错密度区域的位错密度低于所述高位错密度区域的位错密度。