[发明专利]形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910137129.6 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101577226A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 康大赫;金伶厚;洪昌基;李根泽;李在东;严大弘;韩政男 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 结构 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成接触结构的方法，所述方法包括：在具有接触区的目标体上形成绝缘层；通过部分蚀刻所述绝缘层，形成暴露所述接触区的开口；在暴露的所述接触区上形成包括硅和氧的材料层；在所述材料层上形成金属层；通过使所述材料层与所述金属层反应而至少在所述接触区上形成金属氧硅化物层；以及在所述金属氧硅化物层上形成导电层以填充所述开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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