[发明专利]静电放电防护系统及静电放电防护电路有效

专利信息
申请号: 200910137261.7 申请日: 2009-04-29
公开(公告)号: CN101877346A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 杨景荣 申请(专利权)人: 瑞鼎科技股份有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L27/02;H01L29/92;H01L29/78;H01L23/52
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张英
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提出一种静电放电防护系统及其电路。静电放电防护系统耦接于第一电源线以及第二电源线之间。静电放电防护系统包含基材、半导体电容以及晶体管开关。半导体电容包含形成于基材上的介电层以及进一步形成于介电层上的导电层。导电层与第一电源线电性连接。晶体管开关设置于基材。晶体管开关具有闸极、第一电极以及第二电极。第一电极与半导体电容的导电层彼此电性连接并耦接至该第一电源线。闸极与第二电极彼此电性连接并耦接至第二电源线。由此,静电放电防护系统可避免电源线间的静电放电现象造成损坏。
搜索关键词: 静电 放电 防护 系统 电路
【主权项】:
一种静电放电防护系统,耦接于第一电源线以及第二电源线之间,所述静电放电防护系统包含:基材;半导体电容,包含:介电层,形成于所述基材上;导电层,形成于所述介电层上,所述导电层与所述第一电源线电性连接;以及晶体管开关,设置于所述基材,其具有闸极、第一电极以及第二电极,所述第一电极与所述半导体电容的所述导电层彼此电性连接并耦接至所述第一电源线,所述闸极与所述第二电极彼此电性连接并耦接至所述第二电源线。
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