[发明专利]一种形成介电质以及形成半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200910137280.X | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101625975A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 洪士平;许汉辉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/336;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种形成介电质的方法，该方法包括在制造工艺室中提供具有含硅半导体层的基材，其中该制造工艺室可将制造工艺前驱物离子化为包括含氧成分与含氟碳成分的等离子体。而藉由该等离子体可使含硅材料的表面部分氧化，以将该表面部分转变为氧化介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 介电质 以及 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成介电质的方法，其特征在于其包括以下步骤：在一制造工艺室中，提供一包括含硅材料的一基材，其中该制造工艺室是可将一制造工艺前驱物离子化为一等离子体，该等离子体包括一含氧成分与一含氟碳成分；以及利用该等离子体氧化该含硅材料的一表面部分，以将该表面部分转变为一氧化介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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