[发明专利]主动元件阵列基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种主动元件阵列基板的制造方法。首先，提供一基板，其包括一显示区与一感测区。接着，于基板的显示区上形成一第一图案化导体层。于基板上形成一栅极介电层。于栅极介电层上形成一图案化半导体层、一第二图案化导体层以及一图案化光敏介电层，其中第二图案化导体层包括一源极、一漏极以及一下电极，图案化光敏介电层覆盖第二图案化导体层，图案化光敏介电层包括一位于源极与漏极上的接口保护层以及一位于下电极上的光感测层。之后，于基板上形成一覆盖保护层。继之，于覆盖保护层上形成一第三图案化导体层，其包括一像素电极以及一上电极。

主权项

1.一种主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板包括一显示区与一感测区；于该显示区的该基板上形成一第一图案化导体层；于该基板上形成一栅极介电层，以覆盖该第一图案化导体层；于该栅极介电层上形成一图案化半导体层、一第二图案化导体层以及一图案化光敏介电层，其中该第二图案化导体层包括一源极、一漏极以及一下电极，该源极与该漏极位于该显示区并覆盖部分该图案化半导体层，该下电极位于该感测区，而该图案化光敏介电层覆盖该第二图案化导体层，该图案化光敏介电层包括一位于该源极与该漏极上的接口保护层以及一位于该下电极上的光感测层；于该基板上形成一覆盖保护层，其中该覆盖保护层具有一第一接触窗以暴露该源极与该漏极其中之一，以及一第二接触窗以暴露该光感测层；以及于该覆盖保护层上形成一第三图案化导体层，其中该第三图案化导体层包括一像素电极以及一上电极，该像素电极通过该第一接触窗与该源极与该漏极其中之一电性连接，而该上电极通过该第二接触窗覆盖该光感测层。