[发明专利]转印方法、用于转印的光掩膜及其制造方法无效
申请号: | 200910137622.8 | 申请日: | 2009-04-27 |
公开(公告)号: | CN101782718A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 田明静 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 谢安昆;宋志强 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种制造光掩膜的方法,预先准备多种类型的备选边框图形数据,边框图形数据对应于光掩膜的边框区域,每个类型的边框图形数据具有预设的图形负荷,并包括如下步骤:获取对应于光掩膜主图形区域的图形数据的图形负荷;选择图形负荷与所获取的主图形负荷最接近的备选边框图形数据;将边框图形数据与主图形数据组合,生成曝光文件;将所述曝光文件曝光于光掩膜空白基板上,对基板的光刻胶显影,并对基板遮光层蚀刻以及去除光刻胶,得到光掩膜。本发明还公开了一种光掩膜以及一种转印方法。本发明可以改善光掩膜的边框区域与主图形区域的图形负荷差异对光掩膜的关键尺度造成的影响。 | ||
搜索关键词: | 方法 用于 光掩膜 及其 制造 | ||
【主权项】:
一种制造光掩膜的方法,所述光掩膜用于将光掩膜上的主图形区域的图形转印到晶圆上,其特征在于,预先准备多种类型的备选边框图形数据,边框图形数据对应于光掩膜的边框区域,每个类型的边框图形数据具有预设的图形负荷,并包括如下步骤:获取对应于光掩膜主图形区域的图形数据的图形负荷;选择图形负荷与所获取的主图形负荷最接近的备选边框图形数据;将边框图形数据与主图形数据组合,生成曝光文件;将所述曝光文件曝光于光掩膜空白基板上,对基板的光刻胶显影,并对基板遮光层蚀刻以及去除光刻胶,得到光掩膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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