[发明专利]瞬态电压抑制器及方法有效
| 申请号： | 200910137850.5 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101572406A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘明焦;A·萨利赫;E·S·弗洛里斯;S·P·罗 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L25/07;H01L23/60;H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种瞬态电压抑制器以及一种用于防止浪涌事件和静电放电事件的方法。第一导电类型的半导体衬底具有在其中形成的第二导电类型的栅极区和阳极区。PN结二极管由栅极区和半导体衬底的一部分形成。邻近栅极区的另一部分形成阴极。晶闸管由阴极、栅极区、衬底以及阳极区形成。齐纳二极管由栅极区和半导体衬底的其他部分形成。第二齐纳二极管具有击穿电压，该击穿电压大于第一齐纳二极管的击穿电压，且大于晶闸管的转折电压。第一齐纳二极管防止浪涌事件，而第二齐纳二极管防止静电放电事件。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制器，其包括：第一齐纳二极管，其具有阳极、阴极及第一击穿电压；以及晶闸管，其具有第一端子和第二端子，其中所述第一齐纳二极管的所述阳极耦合到所述晶闸管的所述第一端子，而所述第一齐纳二极管的所述阴极耦合到所述晶闸管的所述第二端子。
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