[发明专利]多级切换的电阻式随机存取存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 200910137990.2 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577142A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 简维志;陈逸舟;张国彬;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多级切换的金属-氧化物为基础的电阻式随机存取存储器及其操作方法。此处所描述的方法包括施加一系列的调整偏压于一选取金属-氧化物存储元件以改变该选取金属-氧化物存储元件的电阻状态自多个电阻状态的一第一电阻状态至一第二电阻状态。该施加一系列的调整偏压包含施加一第一组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第一电阻状态至一第三电阻状态，以及施加一第二组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第三电阻状态至该第二电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 切换 电阻 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种操作一存储器装置的方法，此存储器装置包含可被编程至多个电阻状态的多个金属-氧化物存储元件，该方法包括：施加一系列的调整偏压于一选取金属-氧化物存储元件以改变该选取金属-氧化物存储元件的电阻状态自多个电阻状态的一第一电阻状态至一第二电阻状态，该施加一系列的调整偏压包含：施加一第一组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第一电阻状态至一第三电阻状态；以及施加一第二组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第三电阻状态至该第二电阻状态。
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