[发明专利]短沟槽横向金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910138165.4 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101572271A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密;阿米特·保罗 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有互穿插漏极体突起物(IDBP)的短沟槽MOSFET及其制备方法，可以在减少沟槽电阻的同时保持高击穿电压。所述LMOS包括：下部装置体层；上部源极区和上部漏极区，都位于所述下部装置体层的顶部；所述上部源极区和上部漏极区，都于一个具有第二导电类型的上部体区相互连接，所述上部体区位于上部源极区和上部漏极区之间、并且位于下部装置体层的顶部；在上部漏极区和上部体区之间形体适配地形成一个位于二者之间的漏极体界面，所述漏极体界面具有一个沿着竖直平面的IDBP结构，该IDBP结构具有一个沿着被掩蔽的体突起物的顶面延伸的表面漏极突起物，同时暴露上部体区的一个预制的顶部体表面区域；一个栅极氧化物-栅极电极的双层结构，设置在上部体区的顶部并至少覆盖其顶部体表面区域，借此形成一个具有短沟槽的LMOS，该沟槽的长度根据位于上部源极区和上部漏极区之间的顶部体表面区域的水平长度确定。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 横向 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有互穿插源极体突起物(IDBP)的短沟槽横向MOSFET(LMOS)，其特征在于，包括：一个具有第一导电类型的下部装置体层，其沿水平方向分布；一个上部源极区和一个上部漏极区，二者都具有第一导电类型并且都位于所述下部装置体层的顶部；所述上部源极区和上部漏极区，都于一个具有第二导电类型的上部体区相互连接，所述上部体区位于上部源极区和上部漏极区之间、并且位于下部装置体层的顶部；在上部漏极区和上部体区之间形体适配地形成一个位于二者之间的漏极体界面，所述漏极体界面具有一个沿着竖直平面的IDBP结构，该IDBP结构具有一个沿着被掩蔽的体突起物的顶面延伸的表面漏极突起物，同时暴露上部体区的一个预制的顶部体表面区域；一个栅极氧化物-栅极电极的双层结构，设置在上部体区的顶部并至少覆盖其顶部体表面区域，借此形成一个具有短沟槽的LMOS，该沟槽的长度根据位于上部源极区和上部漏极区之间的顶部体表面区域的水平长度确定；其中，进一步包括一个由于短沟槽长度所带来的减小的沟槽电阻，同时由于存在IDBP结构，沿通道方向的表面电场相应减小，这就导致具有IDBP结构的短沟槽LMOS相比于那些没有IDBP结构的短沟槽LMOS具有更高的源极漏极间的击穿电压。
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