[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造有效
| 申请号： | 200910138215.9 | 申请日： | 2009-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101582396A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | G·迈耶-伯格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/498;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 汤春龙;王忠忠 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的名称为半导体器件及半导体器件的制造，提供一种半导体器件。在一个实施例中，该器件包括载体。第一材料淀积在该载体上。第一材料具有小于100MPa的弹性模量。半导体芯片放置在第一材料上方。第二材料淀积在半导体芯片上，第二材料电绝缘。金属层放置在第二材料上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：载体；淀积在所述载体上的第一材料，所述第一材料具有小于100MPa的弹性模量；放置在所述第一材料上方的半导体芯片；淀积在所述半导体芯片上的第二材料，所述第二材料电绝缘；以及放置在所述第二材料上方的金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910138215.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子元件晶片模块及其制造方法
- 下一篇：低噪声电磁开关及其制造方法
