[发明专利]高温超导体层配置体

摘要

本发明涉及包含至少一个衬底和一个由氧化材料形成的织构化缓冲层的高温超导体层配置体，所述缓冲层允许高温超导体织构化生长。令人惊讶地，适当时，可以在仅一次涂覆操作中用稀土元素铈氧化物形成的缓冲材料层制备均匀缓冲层，所述缓冲材料包含镧作为稀土元素。缓冲层材料可以是由通式Ln′_2-xLn″_xCe′_2-yM″_yO_7±z表示的稀土氧化物，且0≤x，y，z≤1，其中Ln′和Ln″是彼此独立的稀土元素，并且M″是三价或四价或五价的金属。

主权项

1. 用于制备高温超导体层配置体的层配置体，该配置体包含至少一个衬底和由氧化材料形成的一个织构化的缓冲层，该缓冲层允许高温超导体的织构化生长，其特征在于至少一层的缓冲材料由稀土元素铈氧化物构成，其中含有的稀土元素是镧，且其中参照总金属含量，铈含量为5原子％至95原子％Ce，并且除铈之外的稀土元素(RE)的含量为95原子％至5原子％。